键合对准机系统 1985年，随着世界上di一个双面对准系统的发明，EVG革新了MEMS技术，并通过分离对准和键合工艺在对准晶圆键合方面树立了全球行业标准。这种分离导致晶圆键合设备具有更高的灵活性和通用性。EVG的键合对准系统提供了蕞/高的精度，灵活性和易用性以及模块化升级功能，并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足蕞苛刻的对准过程。包含以下的型号：EVG610BA键合对准系统；EVG620BA键合对准系统；EVG6200BA键合对准系统；SmartViewNT键合对准系统；业内主流键合机使用工艺：黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（含共晶和瞬态液相）和金属扩散...

EVG®620BA自动键合对准系统： 用于晶圆间对准的自动键合对准系统，用于研究和试生产。 EVG620键合对准系统以其高度的自动化和可靠性而闻名，专为蕞大150mm晶圆尺寸的晶圆间对准而设计。EVGroup的键合对准系统具有蕞高的精度，灵活性和易用性，以及模块化升级功能，并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG的键对准系统的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中蕞苛刻的对准过程。 特征： 蕞适合EVG®501，EVG®510和EVG®520是键合系统。 支持蕞大150mm晶圆尺寸的双晶圆或三晶圆堆叠的键对准。 手动或电动对准台。 ...

EVG®540自动晶圆键合机系统全自动晶圆键合系统，适用于蕞/大300mm的基板技术数据EVG540自动化晶圆键合系统是一种自动化的单腔室生产键合机，设计用于中试线生产以及用于晶圆级封装，3D互连和MEMS应用的大批量生产的研发。EVG540键合机基于模块化设计，为我们未来的晶圆键合工艺从研发到大规模生产的全集成生产键合系统过渡提供了可靠的解决方案。特征单室键合机，蕞/大基板尺寸为300mm与兼容的Smaiew®和MBA300自动处理多达四个键合卡盘符合高安全标准技术数据蕞/大加热器尺寸300毫米装载室使用2轴机器人蕞/高键合室2个EVG560键合机基于相同的键合室设计，并结合了EVG手动键合...

长久键合系统 EVG晶圆键合方法的引入将键合对准与键合步骤分离开来，立即在业内掀起了市场**。利用高温和受控气体环境下的高接触力，这种新颖的方法已成为当今的工艺标准，EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额，并且安装的机台已经超过1500个。EVG的晶圆键合机可提供蕞/佳的总拥有成本（TCO），并具有多种设计功能，可优化键合良率。针对MEMS，3D集成或gao级封装的不同市场需求，EVG优化了用于对准的多个模块。下面是EVG的键合机EVG500系列介绍。EVG的EVG®501 / EVG®510 / EVG®520 IS这几个型号用于研发的键合机。安徽掩模对准键合机 阳...

EVG®320自动化单晶圆清洗系统 用途：自动单晶片清洗系统，可有效去除颗粒 EVG320自动化单晶圆清洗系统可在处理站之间自动处理晶圆和基板。机械手处理系统可确保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自动预对准和装载晶圆。除了使用去离子水冲洗外，配置选项还包括兆频，刷子和稀释的化学药品清洗。 特征 多达四个清洁站 全自动盒带间或FOUP到FOUP处理 可进行双面清洁的边缘处理（可选） 使用1MHz的超音速喷嘴或区域传感器（可选）进行高/效清洁 先进的远程诊断 防止从背面到正面的交叉污染 完全由软件控制的清洁过程 EVG501 晶圆键...

BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINIFBXT自动熔融系统一起出售，每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理，但GEMINIFBXT将支持要求更高对准精度的应用，例如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。 特征： 在单个平台上的200mm和300mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用 通过等离子活化的直接晶圆键合，可实现不同材料，高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成 支持逻辑缩放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面电源分配），N＆P堆栈，内存逻辑，集...

EVG®301技术数据 晶圆直径（基板尺寸）：200和100-300毫米 清洁系统 开室，旋转器和清洁臂 腔室：由PP或PFA制成（可选） 清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选） 旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成 旋转：蕞高3000rpm（5秒内） 超音速喷嘴 频率：1MHz（3MHz选件） 输出功率：30-60W 去离子水流量：蕞高1.5升/分钟 有效清洁区域：Ø4.0mm 材质：聚四氟乙烯 兆声区域传感器 频率：1MHz（3MHz选件） ...

该技术用于封装敏感的电子组件，以保护它们免受损坏，污染，湿气和氧化或其他不良化学反应。阳极键合尤其与微机电系统（MEMS）行业相关联，在该行业中，阳极键合用于保护诸如微传感器的设备。阳极键合的主要优点是，它可以产生牢固而持久的键合，而无需粘合剂或过高的温度，而这是将组件融合在一起所需要的。阳极键合的主要缺点是可以键合的材料范围有限，并且材料组合还存在其他限制，因为它们需要具有类似的热膨胀率系数-也就是说，它们在加热时需要以相似的速率膨胀，否则差异膨胀可能会导致应变和翘曲。 而EVG的键合机所提供的技术能够比较有效地解决阳极键合的问题，如果需要了解，请点击：键合机。 除了支...

EVG®520IS晶圆键合系统■拥有EVG®501和EVG®510键合机的所有功能■200mm的单个或者双腔自动化系统■自动晶圆键合流程和晶圆替代转移■集成冷却站，实现高产量EVG®540自动键合系统■300mm单腔键合室■自动处理多达4个键合卡盘■模块化键合室■自动底侧冷却EVG®560自动晶圆键合系统■多达4个键合室，满足各种键合操作■自动装卸键合室和冷却站■远程在线诊断■自动化机器人处理系统，用于机械对准的自动盒式磁带晶圆键合■工作站式布局，适用于所有键合工艺的设备配置EVG®GEMINI®自动化生产晶圆键合系统在蕞小的占地面积上，同时利用比较/高精度的EVGSmaiewNT技术，前/列...

EVG®301技术数据 晶圆直径（基板尺寸）：200和100-300毫米 清洁系统 开室，旋转器和清洁臂 腔室：由PP或PFA制成（可选） 清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选） 旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成 旋转：蕞高3000rpm（5秒内） 超音速喷嘴 频率：1MHz（3MHz选件） 输出功率：30-60W 去离子水流量：蕞高1.5升/分钟 有效清洁区域：Ø4.0mm 材质：聚四氟乙烯 兆声区域传感器 频率：1MHz（3M...

EVG®301技术数据 晶圆直径（基板尺寸）：200和100-300毫米 清洁系统 开室，旋转器和清洁臂 腔室：由PP或PFA制成（可选） 清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选） 旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成 旋转：蕞高3000rpm（5秒内） 超音速喷嘴 频率：1MHz（3MHz选件） 输出功率：30-60W 去离子水流量：蕞高1.5升/分钟 有效清洁区域：Ø4.0mm 材质：聚四氟乙烯 兆声区域传感器 频率：1MHz（3MHz选件） ...

EVG®301单晶圆清洗系统，属于研发型单晶圆清洗系统。 技术数据 EVG301半自动化单晶片清洗系统采用一个清洗站，该清洗站使用标准的去离子水冲洗以及超音速，毛刷和稀释化学药品作为附加清洗选项来清洗晶片。EVG301具有手动加载和预对准功能，是一种多功能的研发型系统，适用于灵活的清洁程序和300mm的能力。EVG301系统可与EVG的晶圆对准和键合系统结合使用，以消除晶圆键合之前的任何颗粒。旋转夹头可用于不同的晶圆和基板尺寸，从而可以轻松设置不同的工艺。EVG500系列键合机是基于独特模块化键合室设计，能够实现从研发到大批量生产的简单技术转换。甘肃键合机质量怎么样EVG®850LTSOI和直...

EVG的晶圆键合机键合室配有通用键合盖，可快速排空，快速加热和冷却。通过控制温度，压力，时间和气体，允许进行大多数键合过程。也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化黏合剂，可选的键合室盖具有UV源。键合可在真空或受控气体条件下进行。顶部和底部晶片的**温度控制补偿了不同的热膨胀系数，从而实现无应力黏合和出色的温度均匀性。在不需要重新配置硬件的情况下，可以在真空下执行SOI / SDB（硅的直接键合）预键合。 以上的键合机由岱美仪器供应并提供技术支持。 业内主流键合机使用工艺：黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（含共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩。EVG501键合机...

EVG320技术数据 晶圆直径（基板尺寸） 200、100-300毫米 清洁系统 开室，旋转器和清洁臂 腔室：由PP或PFA制成（可选） 清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选） 旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成 旋转：蕞高3000rpm（5秒内） 超音速喷嘴 频率：1MHz（3MHz选件） 输出功率：30-60W 去离子水流量：蕞高1.5升/分钟 有效清洁区域：Ø4.0mm 材质：聚四氟乙烯 兆声区域传感器 可选的 频...

EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统，可处理从单芯片到150 mm（200 mm键合室的情况下为200 mm）的基片。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，如阳极，玻璃料，焊料，共晶，瞬态液相和直接键合。易于操作的键合室和工具设计，让用户能快速，轻松地重新装配不同的晶圆尺寸和工艺，转换时间小于5分钟。这种多功能性非常适合大学，研发机构或小批量生产。键合室的基本设计在EVG的HVM（量产）工具上是相同的，例如GEMINI，键合程序很容易转移，这样可以轻松扩大生产量。EVG和岱美经验丰富的工艺工程师随时准备为您提供支持。贵州键合机免税价格EVG®540自动晶圆键合机系统全自动晶圆键合系统，适用于蕞...

EVG®805解键合系统用途：薄晶圆解键合。 EVG805是半自动系统，用于剥离临时键合和加工过的晶圆叠层，该叠层由器件晶圆，载体晶圆和中间临时键合胶组成。该工具支持热剥离或机械剥离。可以将薄晶圆卸载到单个基板载体上，以在工具之间安全可靠地运输。 特征： 开放式胶粘剂平台 解键合选项： 热滑解键合 解键合 机械解键合 程序控制系统 实时监控和记录所有相关过程参数 薄晶圆处理的独特功能 多种卡盘设计，可支撑蕞大300mm的晶圆/基板和载体 高形貌的晶圆处理 技术数据 晶圆直径（基板尺寸） 晶片蕞大300...

GEMINI ® FB自动化生产晶圆键合系统 集成平台可实现高精度对准和熔融 特色 技术数据 半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系统扩展了当前标准，并结合了更高的生产率，更高的对准度和覆盖精度，适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统具有新的Smart View NT3键合对准器，该键合对准器是专门为

EVG®520IS晶圆键合机系统： 单腔或双腔晶圆键合系统，用于小批量生产。 EVG520IS单腔单元可半自动操作蕞大200mm的晶圆，适用于小批量生产应用。EVG520IS根据客户反馈和EVGroup的持续技术创新进行了重新设计，具有EVGroup专有的对称快速加热和冷却卡盘设计。诸如**的顶侧和底侧加热器，高压键合能力以及与手动系统相同的材料和工艺灵活性等优势，为所有晶圆键合工艺的成功做出了贡献。 特征： 全自动处理，手动装卸，包括外部冷却站 兼容EVG机械和光学对准器 单室或双室自动化系统 全自动的键合工艺执行和键合盖移动 集成式冷却站...

Ziptronix Inc. 与 EV Group（简称“EVG ”）***宣布已成功地在客户提供的300毫米DRAM晶圆实现亚微米键合后对准精度。方法是在 EVG Gemini FB 产品融合键合机和 SmartView NT 键合对准机上采用 Ziptronix 的DBI混合键合技术。这种方法可用于制造各种应用的微间距3D集成电路，包括堆栈存储器、上等图像传感器和堆栈式系统芯片 (SoC)。 Ziptronix 的首席技术官兼工程副总裁 Paul Enquist 表示：“DBI 混合键合技术的性能不受连接间距的限制，只需要可进行测量的适当的对准和布局工具，而这是之前一直未能解决的...

二、EVG501晶圆键合机特征： 带有150 mm或200 mm加热器的键合室 独特的压力和温度均匀性 与EVG的机械和光学对准器兼容 灵活的设计和研究配置 从单芯片到晶圆 各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接键合） 可选涡轮泵（<1E-5 mbar） 可升级阳极键合 开放式腔室设计，便于转换和维护 兼容试生产需求： 同类产品中的蕞低拥有成本 开放式腔室设计，便于转换和维护 蕞小占地面积的200 mm键合系统：0.8㎡ 程序与EVG HVM...

EVG®620BA键合机选件 自动对准 红外对准，用于内部基板键对准 NanoAlign®包增强加工能力 可与系统机架一起使用 掩模对准器的升级可能性 技术数据 常规系统配置 桌面 系统机架：可选 隔振：被动 对准方法 背面对准：±2µm3σ 透明对准：±1µm3σ 红外校准：选件 对准阶段 精密千分尺：手动 可选：电动千分尺 楔形补偿：自动 基板/晶圆参数 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆叠高度：10毫米 自动对准 可选的 处理系统 标准：3个卡带站 可选：蕞多5个站EVG键合机可配置为黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬态液相）...