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若第二逻辑电路19包括图10所示的逻辑单元91和第三比较器92，则此时副边开关电路101的导通时间由流经副边开关电路101的电流决定，如当流过副边开关电路101上的反向电流i101达到某一设定值时，停止充电。如图12、13所示，当i101的反向电流到达与第四阈值vth4对应的电流限值ineg时，副边开关电路101被断开，结束第二次导通。因此，在t2时刻经过一定时长后，即t3时刻，然后加入适当的死区时间tdead，如到t4时刻，原边功率开关q1被重新导通，系统进入下一个开关周期，并如上所述循环。在t3时刻，由于101断开，101第二次导通期间的反向充电电流经过变压器耦合到原边，使得原边功率开关q1两端电压下降，原边功率开关q1的体二极管会被导通。于是t4时刻原边功率开关q1两端压降为该体二极管的导通压降(约为)。因此，前述根据本发明实施例的开关电源电路也实现了对原边功率开关的零电压(zvs)开通，降低了损耗。图14示出根据本发明实施例的开关电源电路1400的电路结构示意图。在图14所示实施例中，所述开关电源电路1400包括：原边功率开关q1，耦接至电气隔离装置t的原边t1，所述原边功率开关q1被周期性地导通和断开，以将输入电压vin传递至电气隔离装置t的副边t2；副边开关电路101。
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这种软开关方式可以显着地减小开关损耗，以及开关过程中激起的振荡，使开关频率可以大幅度提高，为转换器的小型化和模块化创造了条件。功率场效应管（MOSFET）是应用较多的开关器件，它有较高的开关速度，但同时也有较大的寄生电容。它关断时，在外电压的作用下，其寄生电容充满电，如果在其开通前不将这一部分电荷放掉，则将消耗于器件内部，这就是容性开通损耗。为了减小或消除这种损耗，功率场效应管宜采用零电压开通方式（ZVS）。绝缘栅双极性晶体管（InsulatedGateBipolartansistor，IGBT）是一种复合开关器件，关断时的电流拖尾会导致较大的关断损耗，如果在关断前使流过它的电流降到零，则可以显着地降低开关损耗，因此IGBT宜采用零电流（ZCS）关断方式。IGBT在零电压条件下关断，同样也能减小关断损耗，但是MOSFET在零电流条件下开通时，并不能减小容性开通损耗。谐振转换器（ResonantConverter，RC）、准谐振转换器（Qunsi-TesonantConverter，QRC）、多谐振转换器（Multi-ResonantConverter，MRC）、零电压开关PWM转换器（ZVSPWMConverter）、零电流开关PWM转换器（ZCSPWMConverter）、零电压转换（Zero-Voltage-Transition，ZVT）PWM转换器和零电流转换。裸板电源的性能是什么？山西为什么做成裸板电源
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