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品质菲涅尔透镜技术规范

来源: 发布时间:2023年02月08日

第二波长比***波长短,第二数目的横向模式比***数目的横向模式少。示例20包括示例19中任一项的主题,其中,第二数目的横向模式*包括单个横向模式。示例21包括示例17至20中任一项的主题,进一步包括将斑点噪声降低大约50%。示例22包括示例17至21中任一项的主题,进一步包括从布置在衬底上的一个或多个第三vcsel结构发射具有第三波长的辐射,第三波长不同于***波长和第二波长。示例23是一种激光源。该激光源包括衬底、vcsel结构、以及多个亚波长结构。vcsel结构在衬底的表面上并且在衬底的表面上延伸。多个亚波长结构在vcsel结构的顶层上。多个亚波长结构中的一个或多个亚波长结构包括芯材和在该芯材的一个或多个表面上的壳材。示例24包括示例23的主题,其中,多个亚波长结构包括圆柱状结构。示例25包括示例24的主题,其中,每个亚波长结构具有λ/10到λ/5之间的直径,其中,λ是该vcsel结构的峰值输出波长。示例26包括示例23至25中任一项的主题,其中,壳材具有比芯材高的折射率。示例27包括示例26的主题,其中,壳材包括氧化钛,并且芯材包括氮化硅。示例28包括示例23至27中任一项的主题,其中,壳材*在芯材的侧壁上。示例29包括示例23至28中任一项的主题,其中。菲涅尔透镜厚度检测技术。品质菲涅尔透镜技术规范

图3示出了根据实施例的光源202或者光源202的至少一部分的自顶向下的视图。光源202包括衬底302,该衬底具有布置在衬底302的表面上的多个vcsel结构304。在一些实施例中,衬底302可以是:包括第iv族半导体材料(例如,si、ge、sige)、第iii-v族半导体材料(例如,gaas、gaassb、gaasin)、和/或根据本公开将明白的任何一种或多种其他适当材料的大块衬底;绝缘体上的x(xoi)结构,其中,x是前述材料(例如,第iv和/或iii-v族半导体材料)之一,绝缘体材料是氧化物材料或介电材料或者一些其他电绝缘材料,从而xoi结构包括两个半导体层之间的电绝缘材料层;或者一些其他适当的多层结构,其中,顶层包括前述半导体材料(例如,第iv和/或iii-v族半导体材料)之一。这里使用的“第iv族半导体材料”(或“第iv族材料”或统称“iv”)在包括至少一种第iv族元素(例如,硅、锗、碳、锡),例如,硅(si)、锗(ge)、硅锗(sige)等。这里使用的“第iii-v族半导体材料”(或“第iii-v族材料”或统称“ii-v”)包括至少一种第iii族元素(例如,铝、镓、铟)和至少一种第v族元素(例如,氮、磷、砷、锑、铋),例如,砷化镓(gaas)、砷化镓铟(ingaas)、砷化铝铟(inalas)、磷化镓(gap)、锑化镓(gasb)、磷化铟。广州菲涅尔透镜 成像菲涅尔透镜投影仪生产厂家订制价格。

这些对本实用新型权利要求进行改进和等同替换后的技术方案,均落入本实用新型的保护范围。本实用新型的多功能二维声学超材料透镜是通过电机控制c型单元结构,进而控制折射率变化的方法实现的。如图1所示,本实用新型提供的声学超材料透镜,包括基底材料层以及等间隔镶嵌在基底材料层上的若干c型单元超材料阵列,c型单元超材料阵列均由若干个c型单元结构周期性排列而成,其周期尺寸为a,c型单元结构为可旋转单元结构。为了实现在同一c型单元结构上获得不同的折射率,本实用新型设计了一种c型单元结构如图2所示,图2(a)为c型单元结构俯视图,其中外半径为r,圆环宽度为w,开口角度为θ,旋转角度为图2(b)为c型单元结构安装示意图,在基底材料层上开设有与c型单元结构匹配的圆环形凹槽,c型单元结构一端镶嵌在凹槽中,可在凹槽中做旋转运动,且可以由电机控制沿逆时针方向(本实施例中以逆时针方向旋转为例,其也可以顺时针旋转)精确地旋转角度c型单元结构的材料设置为光敏树脂,其密度为1388kg/m3,声速为716m/s。根据1999年pendry提出的等效媒质理论,当相邻两个c型单元结构间距远小于波长时,即小于十分之一波长时,就可以把c型单元结构当成等效均匀媒质。

壳材806可以具有小于10nm、小于5nm、小于1nm的厚度或单层原子。图9a至9c示出了根据一些实施例的图案化在vcsel结构的顶层802上的元原子的不同示例。图9a示出了***元结构902,其中,壳材806围绕用于每个元原子的芯材804,但是不覆盖顶层802在每个元原子之间的区域。在蚀刻工艺期间,使用例如光刻胶或硬掩模来保护壳材806的围绕芯材804的部分,以移除壳材806在顶层802的表面上的暴露部分。图9b示出了第二元结构904,其中,壳材906共形地覆盖包括芯材804的所有表面和顶层802的表面。图9c示出了第三元结构906,其中,壳材806*覆盖芯材804的一个或多个侧壁。在沉积壳材806后,可以执行包层各向异性干法蚀刻工艺,以移除壳材806的所有水平平面部分,*留下芯材804的侧壁上的那些部分。图10示出了根据实施例的包括不止一种类型的元原子的元结构1000(这里称为“元分子(metamolecule)”)的另一示例。根据实施例,***元原子1002包括具有基部1006和顶部1008的芯材。基部1006可以比顶部1008更宽或更窄。第二元原子1004包括芯材1010,并且***元原子1002和第二元原子1004二者被壳材1012环绕。太阳能用菲涅尔透镜大概价格多少?

图10示出了根据本公开的实施例的使用亚波长结构的元分子的示例。图11是示出根据本文公开的某些实施例的从用在光投影仪系统中的光源发射辐射的方法的流程图。尽管将参考说明性实施例继续下面的详细描述,但是根据本公开,很多替代、修改、和变形将是明显的。具体实施方式用在结构化光投影仪中的激光源包括衬底、衬底上的一个或多个***vcsel、以及衬底上的一个或多个第二vcsel。一个或多个***vcsel各自具有***孔径宽度并且各自单独地在衬底的表面上延伸。一个或多个第二vcsel各自具有不同于***孔径宽度的第二孔径宽度并且各自单独地在衬底的表面上延伸。根据一些实施例,可以使用光刻技术对***vcsel和第二vcsel进行图案化。使用具有不同孔径宽度的vcsel的阵列提供了具有不同波长的发射辐射,从而提供了不同的斑点图案。当在检测器上被接收时不同的斑点图案被平均,此时斑点噪声减小。vcsel还可以包括多个亚波长结构以操控光输出。这种亚波长结构还可以用在包括标准vcsel在内的其他vcsel的表面上。在任意这些情况中,激光源可以与图像传感器结合在一起,以提供光投影仪系统。总体概述如上所述,仍然有与结构化光照明(sli)相关联的很多未解决的问题。更具体地。菲涅尔透镜放大镜值得推荐。东莞菲涅尔透镜焦距

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可以确定在***多个vcsel结构和第二多个vcsel结构之间的孔径宽度的大小,使得从发射的辐射生成任意数目的不同横向激光模式和斑点模式。通过从具有不同孔径宽度的vcsel结构发射辐射,可以降低斑点噪声。在使用具有两个不同孔径宽度的两组vcsel结构的示例中,斑点噪声降低大约可以使用附加的vcsel结构阵列,其中每个阵列具有不同的孔径宽度,以将斑点噪声降低因数其中n是不同vcsel阵列的数目。接着,在操作1106,在由***和第二vscel结构发射的辐射被从物体反射出来之后,在检测器处接收该辐射。所接收的辐射可被用来定义物体的数字3d图像。当然,在一些实施例中,如先前结合系统所描述的,可以执行附加操作。具体地,辐射可以从与***和第二多个vcsel结构布置在相同衬底上的第三多个vcsel结构发射。第三多个vcsel结构中的每个vcsel结构包括不同于***和第二多个vcsel结构的孔径宽度的孔径宽度,使得从第三多个vcsel结构发射的辐射产生了不同于***和第二斑点图案的第三斑点图案。除非一其他方式明确声明,否则可以明白的是,诸如“处理”、“计算”、“运算”、“确定”之类的术语指的是计算机或计算系统或类似电子计算设备的动作和/或处理。品质菲涅尔透镜技术规范

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