功率密度
在更小的空间实现更大的功率，以更低的系统成本增强系统功能随着功率需求的增加，电路板面积和高度正在成为限制因素。电力设计师必须在应用中加入更多的电路，以使其产品与众不同，同时提高效率和热性能。现在，使用TI的先进工艺、封装和电路设计技术，可以以更小的外形尺寸实现更高的功率水平。
产生较少热量的设备
•业界先进的功率处理节点，适用于<100 V
•600-V氮化镓（GaN）器件具有很好的开关性能
热图像比较了更高的效率对温升的影响。
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功率MOSFET概述：
TI基于稳压IC的电源管理创新NexFET™技术，与稳压IC完美结合将垂直电流与横向功率MOSFET相结合。它提供了一个低导通电阻，需要极低的栅极电荷和行业标准封装外形，这是以前现有硅平台无法实现的组合。
NexFET技术为N沟道和P沟道提供高性能功率MOSFET器件。设计师能够实现90%的供电高输出电流和低占空比，从轻负载到全负载的效率，**了离散设计的突破。
功率MOSFET，稳压IC主要包括：N沟道MOSFET晶体管和 P沟道MOSFET晶体管。
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TI稳压IC的EMI不再是事后诸葛亮，因为它有可能在设计阶段后期造成重大挫折，这将耗费时间和金钱。
开关电源（SMPS）是现代技术中**普遍的电路之一，在大多数应用中，它比线性稳压器的效率有了极大的提高。
但这种效率是有代价的，因为开关电源中的功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的开关使其
是电磁干扰的主要来源，而电磁干扰反过来又会影响可靠性。EMI主要来自不连续的输入电流、开关节点上的快速转换率、，
以及功率环路中寄生电感引起的沿开关边缘的附加振铃。
下页的图1说明了这些元素中的每一个如何使用buck转换器拓扑在不同的频带中表现出来。
例如。随着压力的增加，增加开关频率以减小尺寸和成本，并增加转换率以提高
效率、电磁干扰问题加剧。因此，有必要结合具有成本效益且易于集成的EMI缓解技术不要影响电源设计。
德州仪器（TI）提供完整的电源解决方案-稳压IC拥有全系列高性能产品。这些产品从标准线性稳压器到高效DC/DC转换器和电池管理，都是为满足您的设计挑战而定制的。此外，TI使用的支持工具（如WEBENCH®电路设计和选择模拟）简化了设计服务、选择的评估模块（EVM）、应用说明、的技术文档等。此外，TI商店有30000多种产品库存，是您购买IC和评估工具的一站式商店。本选择指南包括设计因素、特色产品、公文包的图形表示、参数表和设备索引，以帮助您快速查找单个设备。有关HiRel和***版本电源管理稳压IC产品的信息，请访问TECH-TREK官网，有关automotivequalified的稳压IC信息电源管理稳压IC产品，请访问TECH-TREK官网电源稳压IC，就选特克集团，原厂代理！期待您的光临！
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热棒封装翻转硅芯片，并将其直接放置在引线框架上，以比较大限度地减少由运行开关电流的引脚上的键合线引起的寄生电感。图16显示了HotRod软件包的结构和优点。
随着功率回路电感的改善，热棒式封装也有助于降低功率路径中的电阻，从而提高效率，同时使较小的解决方案尺寸成为可能。
HotRod封装中设备的另一个好处是，它们有助于并行输入路径引脚，即DC/DC转换器输入电容的布局安排。通过优化DC/DC转换器的引脚，使输入电容器的布局具有对称性，输入功率回路产生的反向磁场位于对称回路内，从而将对附近系统的发射降至比较低。平行输入路径进一步将高频EMI降至比较低，尤其是在**严格的FM频段，如下图17所示。
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图8说明了时域和频域中的这些参数。-稳压IC技术专题
在CISPR 25等标准中，通常会将fm设置在9 kHz左右，以优化低频段，但这恰好也在音频范围内。为了解决这一问题，您可以进一步以伪随机方式调制三角调制，以传播可听能量，而不会对传导和辐射EMI性能产生重大影响。下页的图9说明了时域和频域中的这种调制模式，这是TPS55165-Q1（同步降压-升压转换器）上的一个功能。
EMI不仅限于单个频带（因此也限于单个RBW），而是多个频带的事实带来了困境，因为扩频通常只能针对单个频带的改进。解决这个问题的一种新方法是一种称为双随机扩频（DRSS）的数字扩频技术。DRS背后的基本原理是叠加两个调制剖面，每个调制剖面针对不同的RBW。有关更多信息，请参阅应用报告“EMI抑制技术，双随机扩频”
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