现代光电子系统非常复杂，但它的基本组成可用待传送信号经过编码器编码后加到调制器上去调制光源发出的光，被调制后的光由发射光学系统发送出去.发射光学系统又称为发射天线，因为光波是一种电磁波，发射光学系统所起的作用和无线电发射天线所起的作用完全相同.发送出去的光信号经过传输介质，如大气等，到达接收端.由接收光学系统或接收天线将光聚焦到光电探测器上，光电过长距离传输后会衰减，使接收到的信号一般很弱，因此需要用前置放大器将其放大，然后进行解码，还原成发送端原始的待传送信号，然后由终端显示器显示出来.光电探测器必须和辐射信号源及光学系统在光谱特性上相匹配。高转换效率光电探测器供应
雪崩光电二极管（APD）当二极管PN结上加上足够强的反向电压的时候，耗尽区存在一个很强的场，足够使强电场飘移的光生载流子获得充分的动能来通过晶格原子碰撞产生新的载流子，新的载流子再次碰撞形成更多载流子，这样就实现了雪崩式的载流子倍增。但这同时也会造成噪声的放大当入射光功率脚较小时，多采用APD，此时引入的噪声不大，在入射光功率较大时，雪崩增益引起的噪声贡献占主要优势，可能带来光电流的失真，采用APD带来的好处不大，采用PIN更为合适。广东高带宽光电探测器联系人当光在半导体中传输时，光波的能量随着传播会逐渐衰减。
响应速度可以用光生载流子的渡越时间表示，载流子的渡越时间外在的频率响应的表现就是探测器的带宽。光生载流子的渡越时间在光生电流变化中表现为两部分：上升时间和下降时间。通常取上升时间和下降时间中的较大者衡量探测器的响应速度。决定探测器响应速度的因素主要有：⑴、耗尽区载流子渡越时间：载流子的渡越时间是影响探测器响应速度的很重要因素，当耗尽区电场强度达到比较大时，Wd表示载流子的比较大漂移速度，W表示耗尽区宽度，那么载流子的渡越时间为：t=W/Vd⑵耗尽区外载流子扩散时间：载流子扩散的速度较慢，同时大多数产生于耗尽区之外的载流子的寿命非常短，复合发生速度快。所以扩散运动只对距离耗尽区范围较近的载流子才能通过扩散运动达到耗尽区中，并在电场中漂移产生光电流。
光电流指在入射光照射下光电探测器所产生的光生电流，暗电流可以定义为没有光入射的情况下探测器存在的漏电流。其大小影响着光接收机的灵敏度大小，是探测器的主要指标之一。暗电流主要包括以下几种：①耗尽区中边界的少子扩散电流;②载流子的产生-复合电流，通过在加工中消除硅材料的晶格缺陷，可以有效减小载流子的产生-复合电流，通常对于高纯度的单晶硅产生-复合电流可以降低到2*1011A/nm2以下;③表面泄漏电流，在制造工艺结束时，对芯片表面进行钝化处理，可以将表面漏电流降低到1011A/nm2量级。当然，暗电流也受探测器工作温度和偏置电压的影响。探测器的暗电流与噪声是分不开的，通常光电探测器的噪声主要分为暗电流噪声、散粒噪声和热噪声：a暗电流噪声：对于一个光电探测器来讲，可接收的光功率是由探测器的暗电流大小决定的，所以减小探测器的暗电流能提高光接收机的灵敏度;b散粒噪声：当探测器接收入射光时，散粒噪声就产生于光子的产生-复合过程中。由于光生载流子的数量变化规律服从泊松统计分部，所以光生载流子的产生过程存在散粒噪声;c热噪声：由于导体中电子的随机运动会产生导体两端电压的波动，因此就会产生热噪声。光子型探测器是有选择性响应波长的探测器件。
雪崩效应只是APD的工作原理，和工作模式不是一个东西。APD工作模式分盖革模式和线型模式，区别在于线型模式偏置电压低于反向击穿电压，盖格模式偏置电压高于击穿电压。线性模式下APD就是一个增益高的普通光电二极管。盖格模式下APD接受到光子后就会进入并一直处于反向击穿状态，APD一直通过一个很大的反向电流。这时，通过外部电路使偏置电压暂时下降至击穿电压之下，APD从反向击穿模式恢复，等待下一个光子，所以盖格模式通常只适用与单光子计数应用。光生载流子在雪崩区即高电场区发生雪崩倍增。石岩30G PIN光电探测器卖价
在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等。高转换效率光电探测器供应
光电探测器是光接收器的主要器件之一，用来将光功率转换为电流。根据系统的性能目标，可以选用PIN或APD（雪崩光电二极管）光电探测器。误码率（BER）是用于指定通信传输系统可靠性的主要指标，通常与接收机灵敏度值相关，该值定义了必须到达光电探测器的较小平均光功率，以实现所需的BER性能。另外，信道的Q值可以从采样的信号统计中计算出来，并用于估计系统的误码率。光电探测器在定义基本通信系统的较终灵敏度方面起着重要的作用，因为它以散弹噪声和热噪声的形式提供统计扰动，并引入了暗电流及定义响应率来衡量每单位输入功率获得多少电输出。这些特性取决于入射光的波长和传感器的材料特性和物理设计。高转换效率光电探测器供应
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