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广东50GHZ PIN光电探测器新报价

来源: 发布时间:2023年04月29日

光子型探测器是有选择性响应波长的探测器件。只有当入射光子能量大于光敏材料中的电子激发能E时,光子型探测器才有响应。对于外光电效应器件,如光电管和光电倍增管,E等于电子逸出光电阴极时所要作的功,此数值一般略大于1电子伏。因此,这类探测器只能用于探测近红外辐射或可见光。对于内光电效应器件,如光伏型探测器和本征光导型探测器,E等于半导体的禁带宽度;对于非本征光导型探测器,E等于杂质电离能。由于禁带宽度和杂质电离能这两个参数都有较大的选择余地,因此,半导体光子型探测器的响应波长可以在较大范围内进行调节。例如,用本征锗做成的光导型探测器,对近红外辐射敏感;而用掺杂质的锗做成的光导型探测器,既能对中红外辐射敏感(如锗掺汞探测器),也能对远红外辐射敏感(如锗掺镓探测器)。所谓相干调制,就是利用要传输旳信号来改变光载波旳频率、相位和振幅。广东50GHZ PIN光电探测器新报价

光伏探测器基于光照产生电势差,用测电势差的原理。它分为光电池与光电二极管两种类型,光电池主要是把光能转换为电能的器件,目前有硒光电池、硅光电池、砷化镓及锗光电池等,但目前运用较广的是硅光电池。光电二级管分为P-N结光电二极管、PIN光电二级管、雪崩光电二极管、光电三级管等。PIN光电二极管又称快速光电二极管,与一般的光电二极管相比,它具有不的时间常量,并使光谱响应范转向长波方向移动,其峰值波长可移至1.04~1.06um而与YAG激光器的发射波长相对应。它具有灵敏度高的优点。它是由P型半导体和N型半导体之间夹了一层本征半导体构成的。因为本征半导体近似于介质,这就相当于增大了P-N结结电容两个电极之间的距离,使结电容变得很小。其次,P型半导体和N型半导体中耗尽层的宽度是随反向电压增加而加宽的,随着反偏压的增大,结电容也要变得很小。由于I层的存在,而P区一般做得很薄,入射光子只能在I层内被吸收,而反向偏压主要集中在I区,形成高电场区,I区的光生载流子在强电场作用下加速运动,所以载流子渡越时间常量减小,从而改善了光电二极管的频率响应。同时I层的引入加大了耗尽区,展宽了光电转换的有效工作区域,从而使灵敏度得以提高。16GHZ PIN光电探测器工作原理光电探测器的光电转换特性必须和入射辐射能量相匹配。

光电探测器件的应用选择,实际上是应用时的一些事项或要点。在很多要求不太严格的应用中,可采用任何一种光电探测器件。不过在某些情况下,选用某种器件会更合适些。例如,当需要比较大的光敏面积时,可选用真空光电管,因其光谱响应范围比较宽,故真空光电管普遍应用于分光光度计中。当被测辐射信号微弱、要求响应速度较高时,采用光电倍增管较合适,因为其放大倍数可达10^4~10^8以上,这样高的增益可使其信号超过输出和放大线路内的噪声分量,使得对探测器的限制只剩下光阴极电流中的统计变化。因此,在天文学、光谱学、激光测距和闪烁计数等方面,光电倍增管得到广泛应用。

光通信虽然以光作为传播媒介,但归根结底还是基于电的。光载波需要使用电信号来进行调制,接收机接收到光信号也需要将其转换为电信号,才能获得所携带的信息。光的带宽暂且可以认为是无限的,但是电信号的带宽不可能无限提高。相对于低频信号,高频信号有着更高的损耗(包括导线损耗、介质损耗以及电磁辐射等),这就导致信号通路的频率响应是一条向下的曲线,高频成分的减少导致上升下降时间会比原来更长(因为高次谐波比低次谐波更为陡峭,这点很容易理解)。因此带宽的选择对时域波形的较短上升边有直接的影响。光电探测器的电路模型中包含的电阻为其热噪声的主要来源。

光电探测器,属于光线传感器的一种,它常用于摄像头和其他成像设备中。它们可以感知称为“光子”的基本粒子的图案,并通过这些图案创造出图像。不同的光电探测器用于感知光谱的不同部分。例如,夜视眼镜中使用的光电探测器就是用于感知肉眼不可见的热辐射。还有一些光电探测器应用于摄像头,这些摄像头通过环境中化学物质反射光线的方式来辨别它们。光电探测器的多功能程度主要取决于三个因素:运行速度、感知低强度光线的能力、感知的频谱范围。通常来说,如果工程师们改善了这三个因素中的某一个,那么另外两个因素中就会至少有一个变得恶化。相干接收:在接收设备中利用载波相位信息去检测并接收信号。16GHZ PIN光电探测器工作原理

光电探测器的工作原理是基于光电效应。广东50GHZ PIN光电探测器新报价

光电探测器的基本工作机理包括三个过程:(1)光生载流子在光照下产生;(2)载流子扩散或漂移形成电流;(3)光电流在放大电路中放大并转换为电压信号。当探测器表面有光照射时,如果材料禁带宽度小于入射光光子的能量即Eg<hv,则价带电子可以跃迁到导带形成光电流。当光在半导体中传输时,光波的能量随着传播会逐渐衰减,其原因是光子在半导体中产生了吸收。半导体对光子的吸收主要的吸收为本征吸收,本征吸收分为直接跃迁和间接跃迁。通过测试半导体的本征吸收光谱除了可以得到半导体的禁带宽度等信息外,还可以用来分辨直接带隙半导体和间接带隙半导体。本征吸收导致材料的吸收系数通常比较高,由于半导体的能带结构所以半导体具有连续的吸收谱。从吸收谱可以看出,当本征吸收开始时,半导体的吸收谱有一明显的吸收边。但是对于硅材料,由于其是间接带隙材料,与三五族材料相比跃迁几率较低,因而只有非常小的吸收系数,同时导致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。广东50GHZ PIN光电探测器新报价

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